美国半导体芯片掩膜作品保护制度

一、制度概述

1984年，美国制定《半导体芯片保护法》（Semiconductor Chip Protection Act，SCPA），在《美国法典》第17编《版权法》第9章建立了针对半导体芯片产品中**掩膜作品（Mask Work）**的专门知识产权保护制度。美国法律所称的“掩膜作品”，在我国通常对应“集成电路布图设计”。

该制度由美国版权局（U.S. Copyright Office）负责行政管理，但其法律性质与一般版权有所区别。掩膜作品保护具有独立的保护对象、权利内容、注册要求、保护期限及侵权救济制度。其核心目的在于保护半导体芯片设计中具有原创性的三维布局结构，同时避免将芯片所实现的电子功能、技术思想和工艺方法本身纳入保护范围。

二、主管机构

美国版权局隶属于美国国会图书馆（Library of Congress），负责掩膜作品保护制度的注册及相关行政管理工作。根据《美国法典》第17编第9章及配套法规，版权局负责受理掩膜作品保护申请、审查申请材料、保存识别性存缴材料、签发注册证书，并对相关权利转让、许可等文件进行备案。

目前，掩膜作品注册使用 Form MW，申请人需提交申请表、规定的注册费用以及用于识别掩膜作品的存缴材料。(美国版权局)

三、保护对象及基本概念

（一）半导体芯片产品

根据《美国法典》第17编第901条，“半导体芯片产品”是指最终形式或中间形式的产品，其具有两层或两层以上的金属、绝缘或半导体材料，这些材料按照预定图案沉积、形成或从半导体材料中蚀刻、移除，并且该产品用于实现电子电路功能。(美国版权局)

（二）掩膜作品

“掩膜作品”是由一系列相互关联的图像构成的设计，无论这些图像以何种形式固定或编码，其能够表现半导体芯片产品各层中金属、绝缘材料或半导体材料预定的三维图案，并反映这些图像之间与芯片产品表面图案相对应的关系。

掩膜作品保护针对的是芯片的布局设计本身，而非芯片所实现的技术功能。因此，与掩膜作品有关的思想、程序、工艺、系统、操作方法、概念、原理和发现均不属于该制度的保护范围。(美国版权局)

四、获得保护的条件

（一）原创性

掩膜作品必须具有原创性，即由设计者独立创作而非复制他人作品。仅由半导体行业中常见、惯用的设计构成，或者将此类设计及其简单变体以整体上缺乏原创性的方式组合形成的作品，不受掩膜作品法保护。

因此，掩膜作品可以包含行业中已有的常见设计元素，但其整体布局需要体现设计者具有保护价值的原创贡献。(美国版权局)

（二）保护资格

符合原创性要求的掩膜作品，在由权利人或经其授权固定于半导体芯片产品后，如果满足下列条件之一，可以获得美国法律保护：

1. 在掩膜作品注册日或者其在世界任何地方首次商业开发日两者中较早的日期，权利人为美国公民、美国居民，或者属于与美国共同参加相关掩膜作品保护国际条约的国家的国民或居民，也可以是无国籍人士；

2. 掩膜作品首次在美国进行商业开发；

3. 掩膜作品符合美国总统根据法律规定发布的相关保护公告所确定的保护条件。(美国版权局)

其中，“商业开发（commercial exploitation）”主要是指为了商业目的向公众分销包含该掩膜作品的半导体芯片产品；书面出售或转让要约在满足法定条件时也可构成商业开发。(美国版权局)

五、保护期限及权利内容

（一）保护期限

掩膜作品保护期限为10年。保护期限自以下两个日期中较早者开始计算：

* 掩膜作品在美国版权局完成注册之日；

* 掩膜作品在世界任何地方首次商业开发之日。

保护期按照法律规定计算至相应第十个日历年年底结束。(美国版权局)

（二）专有权利

掩膜作品权利人主要享有以下专有权：

1. 以光学、电子或其他方式复制掩膜作品；

2. 进口或者分销包含该掩膜作品的半导体芯片产品；

3. 诱导或者明知地促使他人实施上述行为。

权利人还可以通过书面文件转让全部权利或者许可部分或全部权利。(美国版权局)

（三）权利限制

美国法律同时规定了若干限制。例如，为教学、分析或评价掩膜作品中所体现的概念、技术、电路、逻辑流程或元件组织而进行复制，在符合规定条件时不构成侵权；基于分析结果创作新的原创掩膜作品，也可以受到保护。

此外，合法取得特定芯片产品的购买者，在首次销售后的特定范围内可以对该特定产品进行进口、分销或使用，但不得据此复制该掩膜作品。(美国版权局)

六、注册制度

与一般版权作品可以在创作完成后自动产生版权不同，掩膜作品需要通过注册来取得并维持法定保护。根据《美国法典》第17编第908条，掩膜作品首次商业开发后，应在两年内提出保护注册申请；逾期未申请的，该掩膜作品的法定保护将终止。(美国版权局)

（一）申请材料

掩膜作品注册使用 Form MW。完整申请通常包括：

1. 填写并签署的Form MW申请表；

2. 不可退还的注册申请费；

3. 用于识别掩膜作品的存缴材料。

美国版权局要求申请人原则上提交其所主张保护的完整原创掩膜作品，并以固定于半导体芯片产品中的最完整形式提交。对于特定的非个性化门阵列（unpersonalized gate array）及定制金属互连层（custom metallization layers），法律允许在符合条件的情况下分别进行注册。(美国版权局)

（二）Form MW主要填写内容

Form MW主要包括以下信息：

项目 主要内容

作品名称 填写用于识别和分类掩膜作品的名称

存缴物性质 说明提交的识别性材料，例如各层图样、复合图或其他规定形式的材料

当前所有人 填写掩膜作品当前权利人的姓名、名称及地址

所有人国籍或住所 填写当前所有人的公民身份或住所信息

所有权来源 如当前所有人并非创作者，应说明其通过雇佣关系、权利转让或法定代表等方式取得权利的依据

首次商业开发 填写首次商业开发的日期和国家/地区

首次商业开发时所有人信息 在相关情况下填写首次商业开发时权利人的国籍或住所

原创贡献性质 简要说明申请人主张保护的原创设计贡献，并区分行业中已有的通用设计

联系方式 填写有关申请的联系人及通信信息

存款账户 如使用版权局存款账户缴费，则填写相关信息

证明 由有权提交申请的人员签署并确认申请信息

证书邮寄地址 填写注册证书的收件人及地址

上述内容以美国版权局现行Form MW及相关法规为依据。(美国版权局)

七、识别性存缴材料

掩膜作品注册除申请表和费用外，还需要提交能够识别作品的材料。

对于已经进行商业开发的掩膜作品，通常需要提交四份固定于首次商业开发的半导体芯片产品中的掩膜作品复制品，并附能够显示各层掩膜作品的视觉表示材料，例如塑料彩色覆盖片、复合图、各层照片等。视觉表示材料应达到足以识别基本电路设计的清晰度，法规通常要求至少20倍放大。(美国版权局)

对于尚未商业开发的掩膜作品，则根据其所占最终产品面积及作品情况，提交相应的视觉表示材料；在符合规定的情况下，也可以选择提交固定于半导体产品中的复制品。(美国版权局)

八、注册与权利取得的法律效力

美国版权局审查申请后，如果认定掩膜作品符合相关法律规定，将注册保护请求并签发注册证书。注册的有效日期，是版权局收到符合要求的申请、存缴识别性材料和费用的日期。

注册证书在侵权诉讼中可以作为证书所载事实以及申请人符合掩膜作品保护要求的初步证据。对于版权局拒绝注册的申请，申请人还可以依法寻求司法审查。(美国版权局)

九、侵权救济

掩膜作品权利受到侵害时，权利人可以依法提起民事诉讼。法院可以根据案件情况采取临时限制令、初步禁令和永久禁令等措施。

在认定侵权成立后，权利人可以请求实际损害赔偿以及侵权人的相关利润；在符合法律规定的情况下，也可以选择法定赔偿，最高可达每一件掩膜作品25万美元。法院还可以对侵权芯片产品、复制所使用的掩膜及相关材料采取扣押、没收、销毁或其他处置措施，并可酌情判给合理的诉讼费用和律师费。侵权诉讼原则上应在侵权请求产生后三年内提起。(美国版权局)

十、掩膜作品保护与其他知识产权制度的关系

掩膜作品保护属于美国针对集成电路布图设计建立的专门知识产权制度，与一般版权保护存在明显区别。其保护对象是半导体芯片中的三维布局设计，而不是其中所体现的技术思想或电子功能。

同时，《美国法典》第17编第912条明确规定，掩膜作品保护制度不会影响权利人依据其他联邦法律享有的权利，包括《美国法典》第17编其他章节以及第35编规定的相关权利。因此，对于同一半导体产品中的不同创新内容，在符合相应法律条件的情况下，可以分别寻求掩膜作品、版权或专利等不同形式的保护。(美国版权局)

十一、注册费用

根据美国版权局现行费用规定，掩膜作品保护注册（Form MW）的申请费用为150美元。相关费用由美国版权局根据法规统一规定，并可能根据后续政策调整。(美国版权局)

项目 当前费用（美元）

掩膜作品保护注册（Form MW） 150

十二、制度特点

美国半导体芯片掩膜作品保护制度主要具有以下特点：

1. 专门立法保护：通过《半导体芯片保护法》及《美国法典》第17编第9章建立独立的保护制度。

2. 保护对象明确：重点保护半导体芯片产品中的原创三维布局设计，不延伸至芯片所实现的功能、技术思想和工艺方法。

3. 原创性要求突出：行业中常见的设计及其缺乏整体原创性的简单组合不受保护。

4. 注册具有必要性：掩膜作品首次商业开发后两年内必须申请注册，以维持完整的法定保护。

5. 保护期限较短：保护期为10年，并从注册日或首次商业开发日两者中较早者起算。

6. 权利内容具有针对性：主要围绕掩膜作品复制以及包含该作品的半导体芯片产品进口、分销等行为提供专有权保护。

7. 设置反向工程例外：允许在教学、分析、评价及基于分析进行原创设计等特定情况下使用和复制掩膜作品。

8. 救济措施较为完整：包括禁令、实际损害及利润赔偿、最高25万美元的法定赔偿、侵权产品扣押和销毁等。

9. 可与其他知识产权并行保护：掩膜作品保护与专利、版权等制度相互独立，在符合相应法律条件的情况下可以形成互补保护。

总体而言，美国通过《半导体芯片保护法》建立了一套针对集成电路布图设计的专门保护体系，在版权局统一行政管理框架下，以注册为核心程序，以原创性为主要实体条件，并通过较为明确的权利内容、例外规则和侵权救济机制，为半导体芯片设计提供专门的知识产权保护。

原文链接：https://ipr.mofcom.gov.cn/hwwq_2/zn/America/Usa/IC.html